APM2054ND
N沟道增强型MOSFET
特点
•
20V/5A,
R
DS （ ON）
= 35mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
= 110mΩ （典型值） @ V
GS
=2.5V
引脚说明
G
D
S
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图SOT- 89
(2)
D
应用
•
•
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
S
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁2054N
L E A D楼Re式C Ø D E
H A N D林克C 0 D E
牛逼EM P 。 ř法兰
P ackage Ç颂歌
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D： S 0牛逼-8 9
Ø P·E·R锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： - 5月5日至5月1日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
L E A D楼Re式C Ø D E
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一个下午2054N D：
APM 2054
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注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
