APM2054NV
N沟道增强型MOSFET
特点
•
20V/5A,
R
DS ( ON)
= 35mΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 45m
Ω
( TYP 。 ) @ V
GS
= 4.5V
R
DS ( ON)
= 110m
Ω
( TYP 。 ) @ V
GS
= 2.5V
引脚说明
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
SOT- 223的俯视图
(2)
D
应用
•
•
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
S
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2054N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
V : SOT- 223
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2054N V :
APM2054N
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类,在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
1
www.anpec.com.tw