APM2095P
P沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
-20V / -3.6A ,R
DS ( ON)
= 70mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
=为100mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
顶视图TO- 252
订购和标识信息
APM 2095P
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P ackage Ç颂歌
P ackage Ç颂歌
U: T O服务-2 5 2
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
一个P M 2095P U:
一个P M 2095P
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±10
-3.6
-20
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏电流脉冲(脉冲宽度
≤
300µs)
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.1 - 11月2003
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www.anpec.com.tw