APM2103SG
双P沟道增强型MOSFET
特点
•
-20V/-2.5A
R
DS （ ON）
= 88mΩ （典型值） @ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 120MΩ （典型值） @ V
GS
= -2.5V
R
DS （ ON）
= 160mΩ （典型值） @ V
GS
= -1.8V
引脚说明
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
P沟道MOSFET
(7.8)D1
(5.6)D2
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
(2)G1
(4)G2
(1)S1
(3)S2
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2103
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
SG ： JSC70-8
工作结点温度。范围
C： -55 〜150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2103 ：
M2103
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月， 2006年
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
