APM2301CA
P沟道增强型MOSFET
特点
•
-20V/-2.8A
R
DS ( ON)
= 56mΩ (典型值) @ V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
= 85mΩ (典型值) @ V
GS
= -2.5V
R
DS ( ON)
= 106mΩ (典型值) @ V
GS
= -1.8V
引脚说明
•
•
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SOT-23
D
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G
S
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2301CA
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
答: SOT -23
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2301CA :
C01X
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类,在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月, 2006年
1
www.anpec.com.tw