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APM2321AC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM2321AC-TR图片预览
型号: APM2321AC-TR
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 157 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2321
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V / -0.9A ,R
DS ( ON)
= 370mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
= 560mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOT- 23封装
引脚说明
D
G
S
顶视图SOT -23
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G
S
订购和标识信息
一个P M 23 21
ħ andling Ç颂歌
牛逼EM P 。为r的GE
封装代码
D
P沟道MOSFET
封装代码
答: S 0牛逼-23
操作摄像结牛逼EM P 。 ř法兰
C: -55 〜1 50
°
C
ħ andling Ç颂歌
牛逼R:牛逼猿& ř鳗鱼
一个P M 2321A :
M 21X
X - D吃Ç颂歌
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±10
-0.9
-3.6
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并提醒顾客获得正确
相关信息的最新版本,在下订单前核实。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月, 2003
1
www.anpec.com.tw