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APM2505NU图片预览
型号: APM2505NU
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 185 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2505NU
物理规格
终端物料
铅焊
镀锡铜(焊接材料: 90/10或63/37锡铅) , 100 %锡
满足EIA规格RSI86-91 , ANSI / J- STD- 002类别3 。
再溢流条件
T
P
(IR /对流或VPR回流)
tp
关键区域
T
L
给T
P
斜升
温度
T
L
在Tsmax
t
L
Tsmin
减速
ts
预热
25
t 25
°
C到峰值
时间
分类回流描述
廓特征
平均升温速率
(T
L
给T
P
)
预热
-
最低温度(Tsmin )
-
温度最高(在Tsmax )
-
时间( min至max ) (TS)
时间保持高于:
-
温度(T
L
)
-
时间(t
L
)
高峰/ Classificatioon温度(Tp )
在5个时间
°
对实际的C
峰值温度(Tp )
下降斜率
的Sn -Pb共晶组件
3
°
C /秒。
100
°
C
150
°
C
60-120秒
183°C
60-150秒
参照表1
10-30秒
无铅封装
3
°
C /秒。
150
°
C
200
°
C
60-180秒
217°C
60-150秒
见表2
20-40秒
6 ° C /秒。
6 ° C /秒。
6分钟最多。
最多8分钟。
时间25 ° C到峰值温度
注释:所有温度是指.Measured在身体表面上的包的顶侧。
8
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版权
©
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年10月