APM2512NUC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM2512NUC-TR
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 206 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM2512NU

典型特征（续）

漏源导通电阻

1.8

= 10V

1.6

= 20A

源极 - 漏极二极管的正向

归一化导通电阻

- 源电流（ A）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50 -25

= 25℃ ： 9米

Ω

75 100 125 150

=150 C

=25 C

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

- 结温（ ° C）

- 源极 - 漏极电压（ V）

电容

3000

Frequency=1MHz

=15V

= 20A

栅极电荷

- 栅极 - 源极电压（ V）

2500

Ç - 电容（pF ）

2000

西塞

1500

1000

500

CRSS

科斯

- 漏极 - 源极电压（ V）

- 栅极电荷（ NC）

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 2005年10月

www.anpec.com.tw

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