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    APM2512NU 参数 Datasheet PDF下载

    APM2512NU图片预览
    型号： APM2512NU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 206 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM2512NU的Datasheet PDF文件第9页  
    APM2512NU
    电气特性
    符号
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    APM2512NU
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    测试条件
    单位
    漏源雪崩额定值
    E
    AS
    雪崩能量，单脉冲
    I
    D
    = 15A ，V
    DD
    =20V
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250
    µ
    A
    V
    DS
    =20V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85°C
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    DS
    =20A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    DS
    =10A
    I
    SD
    = 10A ，V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =0V,V
    DS
    =0V,F=1MHz
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =15V,
    Frequency=1.0MHz
    V
    DD
    = 15V ，R
    L
    =15
    Ω
    ,
    I
    DS
    = 1A ，V
    根
    =10V,
    R
    G
    =6
    Ω
    9
    13
    1.3
    1.8
    50
    mJ
    静态特性
    BV
    DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    25
    1
    30
    2.5
    ±100
    12
    20
    V
    µA
    V
    nA
    mΩ
    R
    DS （ ON）一
    漏源导通电阻
    二极管的特性
    V
    SD
    a
    二极管的正向电压
    0.9
    1.3
    V
    Ω
    pF
    动态特性
    b
    R
    G
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    T
    r
    t
    D（关闭）
    T
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    注意事项：
    栅极电阻
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    1.1
    1560
    345
    245
    10
    6
    33
    10
    18
    11
    47
    14
    ns
    栅极电荷特性
    b
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    一：脉冲测试;脉冲width≤300
    µ
    S，值班cycle≤2 ％ 。
    B：由设计保证，不受生产测试。
    33
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    =10V,
    I
    DS
    =20A
    4.6
    10
    43
    nC
    版权
    ©
    茂达电子股份有限公司
    启示录B.2 - 2005年10月
    3
    www.anpec.com.tw

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