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APM2512NUC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM2512NUC-TRL图片预览
型号: APM2512NUC-TRL
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 207 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2512N
N沟道增强型MOSFET
特点
25V / 40A ,R
DS ( ON)
= 9mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 13mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
1
2
3
G
D
S
顶视图TO- 252
D
应用
在计算机电源管理,便携式
设备和电池供电系统。
G
S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM2512N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 ℃〜150℃
°
处理代码
TR :带卷&
L:无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM2512N U:
APM2512N
XXXXX
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS

漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
25
±20
单位
V
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.1 - 10月2003
1
www.anpec.com.tw