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APM3005NUC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM3005NUC-TR图片预览
型号: APM3005NUC-TR
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 198 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM3005NU
绝对最大额定值
符号
参数
等级
30
±20
150
-55到150
16
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
100
75
50
*
30
50
20
2.5
W
° C / W
V
°C
°C
A
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JC
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻,结到管壳
2
A
A
安装在印刷电路板1英寸垫面积
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
100
75
17
10
2.5
1
50
100
75
14
9
1.6
0.6
75
W
° C / W
W
° C / W
A
A
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θ
JA
注意:
*目前受限于键合线。
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
A
A
最大功率耗散
热阻,结到环境
版权
©
茂达电子股份有限公司
牧师B.3 - 2005年10月
2
www.anpec.com.tw