APM3009N
N沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
30V / 70A ,R
DS ( ON)
= 7MΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 11MΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
对于超高密高级单元设计
非常低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
的TO-220 ,TO- 252和TO- 263封装
引脚说明
1
2
3
应用
•
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器。
G
D
S
顶视图的TO- 220 , TO- 252和TO- 263
订购和标识信息
APM 3009N
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
封装代码
封装代码
F: T O服务-2 2 0
G: T O服务-2 6 3
U: T O服务-2 5 2
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5二月五日至一日5
°
C
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
一个P M 3 0 0 9 N F / G / U :
一个P M 3009N
XXXXX
XXXXX
- D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
参数
漏源电压
栅源电压
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
60
110
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 2002年5月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。