APM3011NU
N沟道增强型MOSFET
特点
•
30V / 40A ，
R
DS （ ON）
= 9mΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 13mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
引脚说明
G
D
S
•
•
•
•
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
顶视图TO- 252
(2)
D1
应用
•
在台式电脑或电源管理
DC / DC转换器
S1
(3)
(1)
G1
N沟道MOSFET
订购和标识信息
永磁3011N
L E A D楼Re式C Ø D E
H A N D林克C 0 D E
TEM页。范围
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U： T O服务-2 5 2
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C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
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L E A D楼Re式C Ø D E
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永磁3011N
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注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
