APM3020P
P沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
-30V / -11A ，R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
= -5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
应用
顶视图TO- 252
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
订购和标识信息
APM 3020P
H A N D林克C 0 D E
率T e M·P 。 R A NG é
P是C嘉克式C Ø D E
P ackage Ç颂歌
U： T O服务-2 5 2
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5二月五日至一日5℃
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 3020P U：
APM 3020P
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
P
D
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
-40
-70
50
20
单位
V
A
W
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25 ºC
T
A
=100 ºC
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
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