APM3023N
N沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
30V / 30A ，R
DS （ ON）
= 15MΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 22MΩ （典型值） @ V
GS
=5V
超级高密度电池设计
引脚说明
1
2
3
1
2
3
高功率和电流处理能力
TO- 252.TO - 220和SOT- 223封装
G
D
S
G
D
S
顶视图TO- 252
SOT- 223的俯视图
应用
•
•
开关稳压器
开关转换器
3
2
1
S
D
G
的TO-220封装
订购和标识信息
一个P M 3 023 ñ
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
C组颂歌
C组颂歌
U： T O服务-2 5 2
V ： S 0牛逼-2 2 3
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0
°
C
H A N D林克C 0 D E
TR ：磁带& ř鳗鱼
F： T O服务-2 2 0
一个P M 3 0 2 3 N U / F：
:
AP M 3023N
XXXXX
XXXXX
- D上TE C 0 D E
AP M 3023N V ：
AP M 3023N
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
30
±20
30
70
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启A.6 - 2003年7月
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
