APM3055LUC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM3055LUC-TR
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 182 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM3055LU

分类回流描述（续）

表1.锡铅Entectic工艺 - 包装回流峰值温度s

封装厚度

体积mm

<350

≥350

<2.5毫米

240 +0/-5

225 +0/-5

≥

2.5 mm

225 +0/-5

表2.无铅工艺 - 包装分类回流温度

封装厚度

体积mm

<350

350-2000

>2000

<1.6毫米

260 +0

1.6 mm – 2.5 mm

260 +0

250 +0

245 +0

≥

2.5 mm

250 +0

245 +0

*宽容：设备制造商/供应商

将

保证工艺的兼容性达到和

包括规定的分类温度（这意味着峰值回流焊温度0

例如260

C+0

C）在额定MSL等级。

可靠性测试程序

测试项目

可焊性

HOLT

厘

TST

法

MIL-STD-883D-2003

MIL-STD-883D-1005.7

JESD-22-B,A102

MIL-STD-883D-1011.9

描述

245℃ ，5秒

1000小时偏置@ 125°C

168小时，100％ RH ，有121 ℃，

-65℃ 〜150 ℃，200周期

载带

版权

茂达电子股份有限公司

牧师B.3 - 2005年10月

www.anpec.com.tw

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