APM4034NU
N沟道增强型MOSFET
特点
•
40V/20A,
R
DS ( ON)
= 29mΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 45mΩ (典型值) @ V
GS
= 5V
引脚说明
•
•
•
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图TO- 252
(2)
D1
应用
•
发明者在LCM与液晶电视的应用
(1)
G1
S1
(3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4034N
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备
APM4034N U:
APM4034N
XXXXX
XXXXX - 日期代码
注: ANPEC无铅产品包含模塑料和100 %雾锡板终止完成;
这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 ANPEC
无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知的权利,
建议客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2007年3月
1
www.anpec.com.tw