APM4350KP
N沟道增强型MOSFET
特点
•
30V/60A,
R
DS ( ON)
= 7.5mΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 11.5mΩ (典型值) @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
•
•
•
•
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
DD D D
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,或
Decktop电脑。
G
S S S
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4350
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
KP : KPAK
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4350 KP :
APM4350
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料的板终止完成100%雾;哪
完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。 ANPEC
无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
启A.1 - 六月, 2006年
1
www.anpec.com.tw