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APM4410 参数 Datasheet PDF下载

APM4410图片预览
型号: APM4410
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 516 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4410
N沟道增强型MOSFET
特点
30V / 11.5A ,R
DS ( ON)
= 9mΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 14.5mΩ (典型值) @ V
GS
= 4.5V
高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
SO
8
D
G
订购和标识信息
APM 4410
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P ackage Ç颂歌
S
N沟道MOSFET
P ackage Ç颂歌
K: S 0 -8
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5二月五日至一日5℃
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
APM 4410 K:
APM 4410
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
30
±20
11.5
50
T
A
=25°C
T
A
=100°C
2.5
1.0
W
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.5牧师 - 2002年7月
1
www.anpec.com.tw