APM4412K
N沟道增强型MOSFET
特点
•
30V/12A,
R
DS （ ON）
= 9mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 12mΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
•
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
( 5,6,7,8 )
D D DD
SOP的顶视图
−
8
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(4)
G
S S S
(1, 2, 3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4412
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 〜150
°
C
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4412 K：
APM4412
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 2005年9月
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
