APM4420K
N沟道增强型MOSFET
特点
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•
•
•
•
30V/12A,
R
DS （ ON）
= 6MΩ （典型值） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
=为10mΩ （典型值） @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
SOP的顶视图
−
8
( 5,6,7,8 )
DD DD
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
S S S
(1, 2, 3)
(4)
G
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4420
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃〜150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅冰开发空白：原创开发的冰
XXXXX - 日期代码
APM 4420 K：
APM 4420
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
