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    APM4427KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

    APM4427KC-TR图片预览
    型号： APM4427KC-TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 115 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM4427KC-TR的Datasheet PDF文件第9页  
    APM4427K
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    *
    I
    DM
    *
    I
    S
    *
    T
    J
    T
    英镑
    P
    D
    *
    R
    θJA
    *
    注意：
    *表面安装在1英寸
    垫区域，叔
    ≤
    10sec.
    2
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    等级
    -30
    ±20
    V
    GS
    =-10V
    -4
    -16
    -2
    150
    -55到150
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =100°C
    2
    0.8
    62.5
    W
    ° C / W
    A
    °C
    V
    A
    单位
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    漏电流脉冲
    二极管连续正向电流
    最高结温
    存储温度范围
    最大功率耗散
    热阻，结到环境
    电气特性
    符号
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    测试条件
    APM4427K
    分钟。
    -30
    -1
    -30
    -1
    -1.5
    85
    140
    -0.7
    13.5
    550
    120
    80
    10
    V
    DD
    = -15V ，R
    L
    =15Ω,
    I
    DS
    = -1A ，V
    根
    =-10V,
    R
    G
    =6Ω
    10
    25
    5
    2
    典型值。
    马克斯。
    单位
    静态特性
    BV
    DSS
    漏源击穿电压
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    V
    SD
    a
    a
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =-250µA
    V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85°C
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =-250µA
    V
    GS
    =±20V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = -10V ，我
    DS
    =-4A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    DS
    =-2.3A
    I
    SD
    = -1.25A ，V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =0V,V
    DS
    =0V,F=1MHz
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =-25V,
    Frequency=1.0MHz
    V
    µA
    V
    nA
    mΩ
    V
    Ω
    pF
    20
    25
    55
    15
    www.anpec.com.tw
    零栅极电压漏极电流
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    漏源导通电阻
    二极管的正向电压
    b
    -2
    ±100
    115
    180
    -1.3
    动态特性
    R
    G
    栅极电阻
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    T
    r
    t
    D（关闭）
    T
    f
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    ns
    版权
    茂达电子股份有限公司
    牧师B.1 - 三月， 2005年

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