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APM4430KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM4430KC-TR图片预览
型号: APM4430KC-TR
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 122 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4430K
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM4430K
分钟。
典型值。
82
马克斯。
107
单位
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
注意事项:
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=15V, V
GS
=10V,
I
DS
=12.5A
17
14
nC
一:脉冲测试;脉冲width≤300
µ
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
3
www.anpec.com.tw