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APM4431KC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM4431KC-TRL图片预览
型号: APM4431KC-TRL
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 119 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4431K
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -5.3A ,
R
DS ( ON)
= 32mΩ (典型值) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
= 50mΩ以下(典型值) @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D
D
D
D
S
S
S
G
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用(符合RoHS )
SOP的顶视图
8
(1, 2, 3)
S S S
应用
(4) G
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
DD DD
(5, 6, 7, 8)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4431
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K: SOP - 8
工作结TEM页。范围
C: -55 ℃〜150℃
处理代码
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4431 K:
APM4431
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
1
www.anpec.com.tw