APM4435KC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM4435KC-TRL
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 190 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM4435K

典型特征（续）

漏源导通电阻

2.00

= -10V

1.75

= -8A

源极 - 漏极二极管的正向

归一化导通电阻

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50 -25

= 25℃ ： 16米

Ω

75 100 125 150

=150 C

-I

- 源电流（ A）

=25 C

0.1

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

- 结温（ ° C）

-V

- 源 - 漏极电压（ V）

电容

5000

4500

Frequency=1MHz

栅极电荷

9 I = -8A

= -15V

-V

- 栅极 - 源极电压（ V）

4000

10 15 20 25 30 35 40 45 50

Ç - 电容（pF ）

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

CRSS

科斯

西塞

-V

- 漏极 - 源极电压（ V）

- 栅极电荷（ NC）

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 六月， 2006年

www.anpec.com.tw

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