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APM4542 参数 Datasheet PDF下载

APM4542图片预览
型号: APM4542
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内容描述: 双通道增强型MOSFET (N和P通道) [Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 271 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4542
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
N沟道
30
±20
7
28
P沟道
-30
±20
-5
-20
2
0.8
150
-55到150
62.5
°C
°C
° C / W
A
V
单位
参数
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
T
A
=25°C
最大功率耗散
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到环境
T
A
=100°C
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
2
0.8
W
*表面装在FR4板,T
10秒。
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
栅极阈值电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM4542
单位
分钟。典型值。马克斯。
N沟道
30
-30
1
-1
1
-1
1.5
-1.5
2
-2
±100
±100
17
22
P沟道
N沟道
P沟道

35
51
0.7
-0.7
24
30
56
78
1.3
-1.3
V
mΩ
nA
测试条件
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
=24V , V
GS
=0V
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250µA
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
µA
V
I
GSS
栅极漏电流
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=7A
R
DS ( ON)
a
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=5A
V
GS
= -10V ,我
DS
=-5.5A
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-4A
I
SD
= 2A ,V
GS
=0V
I
SD
= -2.3A ,V
GS
=0V
V
SD

a
二极管的正向电压
笔记
a
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300µs,
占空比
2%
版权
茂达电子股份有限公司
A.2牧师 - 九月, 2003
2
www.anpec.com.tw