APM4550K
双重增强模式MOSFET( N和P通道)
特点
•
N沟道
30V/7A,
R
DS ( ON)
= 20MΩ (典型值) @ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 30mΩ到(典型值) @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
•
P沟道
-30V/-5A,
R
DS ( ON)
= 40MΩ (典型值) @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 62mΩ (典型值) @ V
GS
= -4.5V
SOP的顶视图
−
8
(7) (8)
D1 D1
(3)
S2
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
(2)
G1
(4)
G2
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
S1
(1)
D2
(5)
D2
(6)
N沟道
P沟道
订购和标识信息
APM4550
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K: SOP - 8
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TR :带卷&
TU :管
无铅代码
L:无铅设备
XXXXX - 日期代码
APM4550K :
APM4550
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2007年5月
1
www.anpec.com.tw