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APM4550K 参数 Datasheet PDF下载

APM4550K图片预览
型号: APM4550K
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内容描述: 双重增强模式MOSFET( N和P通道) [Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 241 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM4550K
物理规格
终端物料
铅焊
镀锡铜(焊接材料: 90/10或63/37锡铅) , 100 %锡
满足EIA规格RSI86-91 , ANSI / J- STD- 002类别3 。
再溢流条件
T
P
(IR /对流或VPR回流)
tp
关键区域
T
L
给T
P
斜升
温度
T
L
在Tsmax
t
L
Tsmin
减速
ts
预热
25
t 25
°
C到峰值
蒂姆· ê
分类回流描述
廓特征
平均升温速率
(T
L
给T
P
)
预热
-
最低温度(Tsmin )
-
温度最高(在Tsmax )
-
时间( min至max ) (TS)
时间保持高于:
-
温度(T
L
)
-
时间(t
L
)
峰值/分类音响阳离子温度(Tp )
在5℃以内的实际时间
峰值温度(Tp )
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
的Sn -Pb共晶组件
3 ° C /秒。
100°C
150°C
60-120秒
183°C
60-150秒
参照表1
10-30秒
6 ° C /秒。
6分钟最多。
无铅封装
3 ° C /秒。
150°C
200°C
60-180秒
217°C
60-150秒
见表2
20-40秒
6 ° C /秒。
最多8分钟。
注释:所有温度是指在封装的顶侧。测量在身体表面上。
版权
©
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2007年5月
12
www.anpec.com.tw