欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

APM4925 参数 Datasheet PDF下载

APM4925图片预览
型号: APM4925
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型MOSFET [P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 131 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
 浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM4925的Datasheet PDF文件第9页  
APM4925
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -6.1A ,R
DS ( ON)
= 24mΩ (典型值) @ V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
= 30mΩ到(典型值) @ V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
可靠,坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
G1
SO
8
S1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
订购和标识信息
APM 4925
处理代码
TEM页。范围
P ackage码
P沟道MOSFET
P ackage码
K: S 0 -8
系统操作结TEM页。范围
C: -55 ℃〜150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
一个P M 4925
一个P M 4925
XXXXX
X X X X X - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D *
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-30
±25
T
A
= 25°C
-6.1
-40
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.4牧师 - 12月2002年
1
www.anpec.com.tw