APM4953
双P沟道增强型MOSFET
特点
•
•
•
•
-30V / -4.9A ，R
DS （ ON）
= 53mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 80mΩ （典型值） @ V
GS
= -4.5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
引脚说明
5
/
5
/
＆放大器;
%
,
,
,
,
!
＆ QUOT ;
$
#
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
/
SO
−
8
5
5
/
,
,
,
,
订购和标识信息
APM 4953
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P ackage Ç颂歌
P沟道MOSFET
P ackage Ç颂歌
K： S 0 -8
Ø P·Eラ蒂奥N·J加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
一个P M 4953克：
一个P M 4953
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±25
T
A
= 25°C
-4.9
-30
单位
V
A
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
