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APM7312 参数 Datasheet PDF下载

APM7312图片预览
型号: APM7312
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内容描述: 双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 118 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM7312
双N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 6A ,R
DS ( ON)
= 35mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
= 45mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 110mΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
SO-8
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SO- 8封装
顶视图
D1 D1
D2 D2
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
G1
G2
订购和标识信息
APM7312
处理代码
TEM页。范围
封装代码
S1
S2
N沟道MOSFET
封装代码
K: SO - 8
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TR :带卷&
APM 7312 K:
APM 7312
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
20
±16
6
20
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月, 2003
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
10秒。