欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

APM7318KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM7318KC-TR图片预览
型号: APM7318KC-TR
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 562 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
 浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM7318KC-TR的Datasheet PDF文件第9页  
APM7318
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
30
10
单脉冲功率
80
70
60
I
SD
- 源电流(A )
T
J
=150°C
T
J
=25°C
功率(W)的
1.2
1.4
50
40
30
20
10
1
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.01
0.1
1
10
30
V
SD
- 源漏极电压
时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
D= 0.02
1.Duty周期,D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 2003年5月
5
www.anpec.com.tw