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APM9410K 参数 Datasheet PDF下载

APM9410K图片预览
型号: APM9410K
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9410
典型特征(续)
源极 - 漏极二极管正向电压
100
单脉冲功率
60
R
thJC
= 2
° C / W
I
SD
- 源电流(A )
50
10
40
功率(W)的
1.2
1.4
30
1
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
20
T
J
=25°C
0.1
0.0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
SD
- 源漏极电压
时间(秒)
归瞬态热阻抗瞬态,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
单脉冲
0.01
-4
10
10
-3
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=50°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表层嵌
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.5版本 - 二月, 2003
5
www.anpec.com.tw