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APM9435KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

APM9435KC-TR图片预览
型号: APM9435KC-TR
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 125 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9435
绝对最大额定值
符号
P
D
T
J)
T
英镑
R
θJA
参数
最大功率耗散
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大工作和存储结温
热阻 - 结到环境
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
2.5
1.0
-55到150
50
单位
W
°C
° C / W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
动态
a
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
笔记
a
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
APM9435
单位
分钟。典型值
a
.
马克斯。
-30
-1
-1
-3
±100
52
80
-0.6
60
95
-1.3
mΩ
V
V
uA
V
nA
参数
测试条件
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
b
V
GS
= 0V时,我
D
=-250µA
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
= -10V ,我
D
=-4.6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2A
I
SD
= -3A ,V
GS
=0V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DD
= -25V ,R
L
=12.5Ω,
I
D
= -2A ,V
=-10V,
R
G
=6Ω,
V
GS
=0V, V
DS
=-25V
频率= 1.0MHz的
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
D
=-4.6A
22.5
4.5
2
8
8
35
11
845
120
80
29
nC
17
18
60
28
ns
pF
:由设计保证,不受生产测试
:脉冲测试;脉冲宽度
≤300µs,
占空比
2%
版权
茂达电子股份有限公司
A.4牧师 - 三月, 2003
2
www.anpec.com.tw