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APM9435 参数 Datasheet PDF下载

APM9435图片预览
型号: APM9435
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 125 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9435
典型特征
源极 - 漏极二极管正向电压
20
单脉冲功率
80
70
60
10
-I
S
- 源电流( Α )
功率(W)的
50
40
30
20
10
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
0.01
0.1
1
10
30
-V
SD
- 源极到漏极电压(V )
时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
D= 0.2
D= 0.1
0.1
D= 0.05
1.Duty周期,D = T1 / T2
2.Per单位基础= R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.表面安装
D= 0.02
单脉冲
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
版权
茂达电子股份有限公司
A.4牧师 - 三月, 2003
5
www.anpec.com.tw