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    APM9928KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

    APM9928KC-TR图片预览
    型号： APM9928KC-TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双通道增强型MOSFET （N和P通道） [Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 290 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM9928KC-TR的Datasheet PDF文件第9页  
    APM9928
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D*
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    R
    θJA
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    最大漏极电流 - 连续
    最大漏极电流 - 脉冲
    最大功率耗散
    最高结温
    存储温度范围
    热阻 - 结到环境
    T
    A
    =25°C
    T
    A
    =100°C
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    N沟道
    20
    ±16
    5
    10
    2.5
    1.0
    150
    -55到150
    50
    P沟道
    -20
    ±16
    3.2
    -10
    2.5
    1.0
    单位
    V
    A
    W
    °C
    °C
    ° C / W
    *表面装在FR4板，T
    ≤
    10秒。
    电气特性
    符号
    STATIC
    BV
    DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    漏源击穿
    电压
    零栅压漏
    当前
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    APM9928
    分钟。
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    35
    50
    80
    120
    0.8
    -0.8
    0.7
    -0.7
    0.9
    -0.9
    20
    -20
    1
    -1
    1.5
    -1.5
    ±100
    ±100
    45
    60
    100
    150
    1.3
    -1.3
    V
    mΩ
    典型值。马克斯。
    测试条件
    单位
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250µA
    V
    DS
    =16V , V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-16V , V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =-250µA
    V
    GS
    =±16V , V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    DS
    =5.0A
    V
    µA
    V
    nA
    R
    DS （ ON）
    =
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    V
    GS
    = 3.0V ，我
    DS
    =3.9A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    DS
    =-3.2A
    V
    GS
    = -3.0V ，我
    DS
    =-2.0A
    I
    SD
    = 1.7A ，V
    GS
    =0V
    I
    SD
    = -1.8A ，V
    GS
    =0V
    V
    SD
    =
    二极管的正向电压
    笔记
    a
    ：脉冲测试;脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比
    ≤
    2%
    版权
    茂达电子股份有限公司
    A.3牧师 - 2003年7月
    2
    www.anpec.com.tw

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