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APM9932CKC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APM9932CKC-TRL
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内容描述: 双通道增强型MOSFET (N和P通道) [Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 150 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9932CK
电气特性(续)
符号
参数
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM9932CK
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
C
国际空间站
输入电容
N沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=20V,
Frequency=1.0MHz
P沟道
V
GS
=0V,
V
DS
=-20V,
Frequency=1.0MHz
N沟道
V
DD
= 10V ,R
L
=10Ω,
I
DS
= 1A ,V
=4.5V,
R
G
=6Ω
P沟道
V
DD
= -10V ,R
L
=10Ω,
I
DS
= -1A ,V
=-4.5V,
R
G
=6Ω
b
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
1205
1210
310
310
210
205
8
7
10
9
29
27
7
6
15
13
17
16
43
42
11
9
ns
pF
C
OSS
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
N沟道
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=6A
P沟道
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
14
17
5
5.2
2.8
3.6
22
25
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
注意事项:
一:脉冲测试;脉冲宽度
≤300µs,
占空比
2%.
B:由设计保证,不受生产测试。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 四月, 2005年
3
www.anpec.com.tw