APM9933
双P沟道增强型MOSFET
特点
•
-20V / -3.5A ，R
DS （ ON）
= 45mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
-2.9A ，R
DS （ ON）
= 52mΩ （典型值） @ V
GS
=-3.0V
-2.6A ，R
DS （ ON）
=的60mΩ （典型值） @ V
GS
=-2.7V
引脚说明
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
•
•
•
对于极超级高密度电池设计
低R
DS （ ON）
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
SOP
−
8
S1
S2
应用
•
G1
G2
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统。
D1
D1
D2
D2
订购和标识信息
APM 9933
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P一CK AG电子C 0 D E
P沟道MOSFET
P ackage Ç颂歌
K： S 0 P -8
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：磁带& ř鳗鱼
一个P M 9933克：
一个P M 9933
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-20
±12
-3.5
-16
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.2版本 - 二月， 2003
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
