APM9945K
双N沟道增强型MOSFET
特点
•
60V/3A,
R
DS （ ON）
=为100mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 120MΩ （典型值） @ V
GS
= 4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP
−
8
(7 )
D1
(8 )
D1
(5 )
D2
(6 )
D2
应用
•
在桌面或DC / DC电源管理
转换器
(2 )
G1
(4 )
G2
S1
(1 )
S2
(3 )
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 9945
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结TEM页。范围
C： -55 ℃〜150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅冰开发空白：原创开发的冰
XXXXX - 日期代码
APM 9945 K：
APM 9945
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月， 2005
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
