APM9953K
双P沟道增强型MOSFET
特点
•
-20V / -3A ，
R
DS （ ON）
= 76mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 93mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
D1
D1
D2
D2
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
无铅可用（符合RoHS ）
S1
G1
S2
G2
SOP的顶视图
−
8
(1)
S1
(3)
S2
应用
•
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
(2)
G1
(4)
G2
D1
(7)
D1
(8)
D2
(5)
D2
(6)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM9953
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
K： SO P- 8
操作摄像结TEM页。范围
C： -55 ℃〜150℃
处理代码
TU ：管
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM9953 K：
APM9953
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月， 2005年
1
www.anpec.com.tw
ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
