APM9966CO
双N沟道增强型MOSFET
特点
•
20V/6A,
R
DS ( ON)
= 20MΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 25MΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
引脚说明
•
•
•
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
TSSOP封装的顶视图
−
8
(1)
D1
(8)
D2
应用
(4)
G1
(5)
G2
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
S1 S1
(2) (3)
S2 S2
(6) (7)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 9966C
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
○: TSSO P- 8
工作结TEM页。范围
C: -55 ℃〜150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:O型riginal设备
XXXXX - 日期代码
APM 9966C ○:
APM 9966C
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 三月, 2005年
1
www.anpec.com.tw