APM9966COC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM9966COC-TR
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内容描述：	双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 153 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM9966/C

典型特征（续）

导通电阻与漏电流

TSSOP-8

导通电阻与栅极至源极电压

SOP-8

0.05

0.10

0.09

=6A

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.04

=4.5V

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.03

=2.5V

0.02

0.01

0.00

- 漏电流（ A）

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与栅极至源极电压

TSSOP-8

导通电阻与结温

2.00

=4.5V

=6A

0.10

=6A

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.09

1.75

1.50

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

-25

100 125 150

- 栅极 - 源极电压（ V）

- 结温（ ° C）

版权



茂达电子股份有限公司

A.3牧师 - 三月， 2003

www.anpec.com.tw

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