APM9953
P沟道增强型MOSFET
特点
•
-20V / -3A ,R
DS ( ON)
= 75mΩ (典型值) @ V
GS
=-10V
•
•
•
R
DS ( ON)
= 90mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
SOP- 8封装
引脚说明
5
/
5
/
!
& QUOT ;
&放大器;
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#
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SO
−
8
5
5
应用
•
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
/
/
,
,
,
,
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 9953
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 ř法兰
P A C K AG电子C 0 D E
P ackage Ç颂歌
K: S 0 -8
Ø P·Eラ锡克Ĵ加利Ç TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: -5 5月5日至一日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :磁带& ř鳗鱼
一个P M 9953克:
一个P M 9953
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
-20
±10
-3
-12
单位
V
A
参数
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
I
DM
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2003年7月
1
www.anpec.com.tw
*表面装在FR4板,T
≤
10秒。