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AO5600E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO5600E
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 944 K
品牌: AOS [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO5600E  
N-Channel TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
60  
40  
20  
0
5
4
3
2
1
0
VDS=10V  
ID=0.5A  
Ciss  
Coss  
Crss  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
Qg (nC)  
Figure 7: Gate-Charge Characteristics  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0
5
10  
VDS (Volts)  
15  
20  
Figure 8: Capacitance Characteristics  
10.0  
14  
12  
10  
8
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
10µs  
RDS(ON)  
limited  
1.0  
0.1  
0.0  
100µs  
1ms  
6
DC  
0.1s  
10ms  
4
2
TJ(Max)=150°C  
1s  
10s  
TA=25°C  
0
0.0001 0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Pulse Width (s)  
V
DS (Volts)  
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-  
Ambient (Note E)  
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe  
Operating Area (Note E)  
10  
D=Ton/T  
In descending order  
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse  
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA  
RθJA=330°C/W  
1
PD  
0.1  
Ton  
T
Single Pulse  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com