AO3407A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3407A
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 111 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3407A

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AO3407A / L采用了先进的沟槽技术，提供

优秀的研发

DS （ ON）

低栅极电荷。此装置适用于

用作负载开关或PWM应用。

AO3407A

和AO3407AL是电相同。

-RoHS标准

-AO3407AL是无卤

特点

(V) = -30V

= -10V)

= -4.3A

DS （ ON）

< 48mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 78mΩ （V

= -4.5V)

RG ，西塞，科斯，测试的Crss

TO-236

(SOT-23)

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

A，F

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

-30

±20

-4.3

-3.5

-20

1.4

0.9

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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