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AO3415AL 参数 Datasheet PDF下载

AO3415AL图片预览
型号: AO3415AL
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 269 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3415AL
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-4A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
6
8
10
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
4
12
0
C
RSS
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
C
OSS
C
国际空间站
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
100.0
1000
10.0
10µs
功率(W)的
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
100µ
1ms
10ms
100ms
10s
1.0
10
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=100°C/W
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
冯0 : 2009年1月
www.aosmd.com
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