AO3420L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3420L
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 186 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3420

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO3420采用先进的沟槽技术

提供优良的RDS（ON ），低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V VGS （ MAX）的评级。该装置是

适合用作一个单向或双向

负荷开关。标准产品AO3420是Pb-free

（符合ROHS &索尼259规格）。 AO3420L

是一种绿色产品订购选项。 AO3420和

AO3420L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 6 A（V

= 10V)

DS （ ON）

< 24mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 42mΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 55mΩ （V

= 1.8V)

TO-236

(SOT-23)

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±12

1.4

0.9

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

° C / W

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