AO3460 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3460
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 109 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3460

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

该AO3460 / L采用先进沟道技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅电压低至4.5V时，在

小型SOT- 23的足迹。它可用于宽

各种应用，包括负载开关，低

电流变换器和低电流的DC-DC

转换器。这是ESD保护。

AO3460和

AO3460L是电相同。

-RoHS标准

-AO3460L是无卤

特点

(V) = 60V

= 0.65A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 1.7Ω （V

= 10V)

DS （ ON）

< 2Ω （V

= 4.5V)

TO-236

(SOT-23)

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大

漏源电压

栅源电压

±20

连续漏极

当前

A，F

漏电流脉冲

功耗

=25°C

=70°C

单位

0.65

0.5

1.6

1.4

0.9

-55到150

°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围T

, T

英镑

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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