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AO3703 参数 Datasheet PDF下载

AO3703图片预览
型号: AO3703
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 108 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3703
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO3703采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关,或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO3703是Pb-free (符合ROHS &索尼
259规格) 。 AO3703L是一个绿色产品订购
选项。 AO3703和AO3703L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -2.7 A(V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 97mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
< 130mΩ (V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
< 190mΩ (V
GS
= -1.8V)
肖特基
V
DS
(V)= 20V,我
F
= 1A ,V
F
<0.5V@0.5A
SOT-23-5
顶视图
G
S
A
1
2
3
5
4
D
K
G
D
K
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
T
A
=25°C
I
D
A
连续漏电流
T
A
=70°C
I
DM
漏电流脉冲
B
V
KA
肖特基反向电压
T
A
=25°C
I
F
A
连续正向电流
T
A
=70°C
I
FM
脉冲正向电流
B
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
MOSFET
-20
±8
-2.7
-2.1
-10
肖特基
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
1.14
0.72
-55到150
典型值
80.3
117
58.5
20
2
1
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
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