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AO3702图片预览
型号: AO3702
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 136 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3702
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO3702 / L采用了先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷。
肖特基二极管提供方便的实现
双向阻断开关,或用于DC-DC转换
应用程序。 AO3702和AO3702L是电相同。
-RoHS投诉
-AO3702L是无卤
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 3.5A (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 62mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 70mΩ (V
GS
= 2.5V)
R
DS ( ON)
< 85mΩ (V
GS
= 1.8V)
肖特基
V
DS
(V)= 20V,我
F
= 1A ,V
F
<0.5V@0.5A
SOT-23-5
顶视图
G
S
A
1
2
3
5
4
D
K
G
D
K
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
20
±8
3.5
2.7
25
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
1.15
0.7
-55到150
典型值
80.3
117
43
153
173
103
20
1
0.5
10
0.66
0.42
-55到150
最大
110
150
80
190
220
140
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
° C / W
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